电子科技大学杨青慧获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种宽带可调的自振混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119448938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411520262.0，技术领域涉及：H03D7/12；该发明授权一种宽带可调的自振混频器是由杨青慧;赵龙年;樊鑫安设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽带可调的自振混频器在说明书摘要公布了：一种宽带可调的自振混频器，涉及射频微波混频技术领域。包括在直流偏置与YIG薄膜谐振器作用下提供本振信号、并将本振信号与射频信号进行混频的双栅FET晶体管，为双栅FET晶体管提供直流电源的直流偏置网络，与双栅FET晶体管源极相连的源极反馈网络，与双栅FET晶体管连接直流偏置网络的栅极相连的YIG薄膜谐振器，射频输入、滤波及匹配网络，中频输出、滤波及匹配网络。本发明采用YIG薄膜谐振器可以实现多个倍频程的宽带调节范围以及优良的相位噪声特性，采用双栅场效应晶体管，可以实现更高的线性变频增益、更好的噪声性能，同时两个栅极间固有隔离达到20dB以上，能够实现本振信号与射频信号间的良好隔离。
本发明授权一种宽带可调的自振混频器在权利要求书中公布了：1.一种宽带可调的自振混频器，其特征在于，包括： 双栅FET晶体管，在直流偏置与YIG薄膜谐振器作用下提供本振信号，并将本振信号与输入的射频信号进行混频； 直流偏置网络，直流偏置网络的一端与双栅FET晶体管的栅极连接、另一端与双栅FET晶体管的漏极连接，为双栅FET晶体管提供直流电源； 源极反馈网络，与双栅FET晶体管的源极相连； YIG薄膜谐振器，与双栅FET晶体管连接直流偏置网络的栅极相连，通过改变外加磁场调节谐振频率进而改变双栅FET晶体管振荡频率； 射频输入、滤波及匹配网络，与双栅FET晶体管的另一个栅极相连，作为射频信号的输入端，并进行滤波和匹配； 中频输出、滤波及匹配网络，与双栅FET晶体管的漏极相连，作为中频信号的输出端，并进行滤波和匹配。
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