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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411983552.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法是由陈维邦设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种背照式图像传感器及其制备方法。该方法包括：提供基底；于基底上形成多个间距相同的牺牲结构；于牺牲结构的侧壁形成侧墙，去除牺牲结构，形成由侧墙构成的过渡掩膜图形；去除过渡掩膜图形中的部分侧墙，得到第一掩膜图形，第一掩膜图形中具有多个位于侧墙之间的开口，至少存在一个开口的宽度与其它开口的宽度不同；以第一掩膜图形为掩膜，于基底中形成多个沟槽，宽度不同的开口对应的沟槽的深度不同；去除第一掩膜图形；于沟槽中形成隔离结构；去除基底位于相邻隔离结构之间的部分，形成多个器件容置槽；于器件容置槽中形成掺杂层，掺杂层的掺杂类型与基底的掺杂类型相反。

本发明授权背照式图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 于所述基底上形成多个间距相同的牺牲结构； 于所述牺牲结构的侧壁形成侧墙，去除所述牺牲结构，形成由所述侧墙构成的过渡掩膜图形； 去除所述过渡掩膜图形中的部分所述侧墙，得到第一掩膜图形，所述第一掩膜图形中具有多个位于侧墙之间的开口，至少存在一个开口的宽度与其它开口的宽度不同； 以所述第一掩膜图形为掩膜，于所述基底中形成多个沟槽，宽度不同的开口对应的所述沟槽的深度不同； 去除所述第一掩膜图形； 于所述沟槽中形成隔离结构；所述隔离结构的表面与所述基底的表面齐平； 去除位于相邻所述隔离结构之间的部分厚度的基底，形成多个器件容置槽；至少两个所述器件容置槽的深度不同，所述器件容置槽的深度小于或等于所述隔离结构的最小深度，所述器件容置槽的底部露出所述基底； 于所述器件容置槽中形成掺杂层，所述掺杂层的掺杂类型与所述基底的掺杂类型相反，所述掺杂层和所述器件容置槽底部露出的所述基底之间形成光敏器件。

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