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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种高熵锂硫银锗矿型硫化物固体电解质的制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411417706.8，技术领域涉及：H01M10/0562；该发明授权一种高熵锂硫银锗矿型硫化物固体电解质的制备和应用是由范丽珍;李洋;李大兵设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵锂硫银锗矿型硫化物固体电解质的制备和应用在说明书摘要公布了：一种高熵锂硫银锗矿型硫化物固体电解质的制备和应用。高熵硫化物电解质的结构式为LiθMαNβP1‑α‑βS4.5‑λXλY1.5，其中5.32＜θ＜6.46,0.01≤α＜0.32,0.01≤β＜0.32且0＜α+β≤0.32,0＜λ≤0.5。通过掺杂不同物性的元素所制备的硫化物固体电解质中，金属阳离子的引入可产生额外的锂空位，增加锂离子迁移的自由度，提高离子电导率，同时软酸阳离子的引入可形成稳定的四面体结构，提高空气稳定性；无机阴离子的引入可在锂负极处原位形成稳定的界面层，阻碍电解质与锂负极的接触，提高负极界面的稳定性，同时卤素阴离子的引入可调节内部原子的混乱度，增加材料的构型熵，从而降低锂离子的扩散能垒，提高离子电导率。

本发明授权一种高熵锂硫银锗矿型硫化物固体电解质的制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种高熵锂硫银锗矿型硫化物固体电解质，其特征在于，所述固体电解质材料的化学式为： Li5.9Al0.05Si0.05Ge0.05Mg0.05Zn0.05In0.05P0.7S4.05F0.25O0.15N0.05Cl0.5Br0.5I0.5，或 Li5.98Al0.04Si0.04Ge0.04Ti0.04Mg0.04Zn0.04In0.04Cu0.04P0.68S4.1F0.2O0.12N0.04Se0.04Cl0.5Br0.5I0.5，或 Li6.06Al0.04Si0.04Ge0.04Ti0.04Mn0.04Mg0.04Zn0.04In0.04Cu0.04Sn0.04P0.6S4.02F0.2O0.16N0.04Se0.04Te0.04Cl0.5Br0.5I0.5； 所述的高熵锂硫银锗矿型硫化物固体电解质的制备方法，包括以下步骤： 步骤1根据目标化学式，将所需的Li源化合物、M源化合物、N源化合物、X源化合物和Y源化合物进行烘干处理；其中，M为Al、Si、Ge、Ti、Mn元素中任意的两种或两种以上，N为Mg、Zn、In、Cu、Sn、Bi、Sb元素中任意的两种或两种以上，X为F、O、N、Se、Te元素中任意的两种或两种以上，Y为Cl、Br、I三种元素中任意一种或多种； 步骤2将所述步骤1中烘干后原材料，按照电解质化学式的摩尔比计算所需的质量，在惰性气氛保护下进行称量混合，得到混合料前驱体； 步骤3将所述步骤2中得到的混合料前驱体进行球磨和压片工艺处理，得到片状前驱体；所述步骤3中混合料前驱体球磨后进行压片处理，其压力为200-400MPa，片状前驱体的直径为10mm，质量为500-1000mg； 步骤4将所述步骤3中得到的片状前驱体进行热处理，冷却至室温后，在惰性气氛保护下研磨成粉体，得到高熵硫化物固体电解质材料； 所述步骤4中片状前驱体的高温处理工艺条件包括：热处理温度400-600℃，热处理时间为6-8h，升温速率为1～5℃min；所述冷却至室温的降温速率为10～20℃min。

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