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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种利用硬质针尖制备短沟道晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411293784.1，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种利用硬质针尖制备短沟道晶体管的方法是由赖清琳;张晓东;柳衡;曾华凌;黄辰曦;李泽宇;乔振华设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用硬质针尖制备短沟道晶体管的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用硬质针尖制备短沟道晶体管的方法，属于晶体管加工技术领域，用于解决现有技术中的短沟道电极的制备方法复杂和短沟道电极形状的精度有待进一步提高的技术问题；本发明包括以下步骤：在粘附层上设置支撑层，得到由短沟道电极粘附层支撑层组成的复合架构层修饰的衬底层，是通过制备一种高流平性能和高附着力的负光刻胶，固化后的高平整度使紫外线光刻均匀且高效，提升图形化的精确度，进一步的提升电极层的分辨率，同时还通过本发明制备的负光刻胶与本发明提供的一种利用硬质针尖制备短沟道晶体管的方法相配合，在降低制备短沟道晶体管复杂度的同时提升短沟道电极结构的精度。

本发明授权一种利用硬质针尖制备短沟道晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用硬质针尖制备短沟道晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底层1表面制作电极层2，利用硬质针尖3在电极层2上进行开沟处理，使电极层2产生间隙得到待转移的短沟道电极4； S2、在衬底层1和短沟道电极上设置粘附层5； S3、在粘附层3上设置支撑层4，得到由短沟道电极4粘附层5支撑层6组成的复合架构层修饰的衬底层1； S4、将复合架构从衬底层1上剥离，得到复合架构； S5、将复合架构转移至目标载体7上，得到短沟道电极； S6、分离复合架构中的粘附层5和支撑层6，后处理得到短沟道电极管； 其中，步骤S1中，制作电极层2的操作包括以下步骤： A1、在衬底层1上旋涂负光刻胶后，将衬底层1转移至温度为80℃的干燥箱中进行真空干燥，得到表面附着负光刻胶的衬底层1； A2、使用光刻机对负光刻胶进行辐射曝光后，使用显影液浸泡负光刻胶层，得到图形化光刻胶表面； A3、使用电子束蒸发技术对图形化光刻胶表面进行表面沉积，得到图形化的电极层2后剥离光刻胶，得到电极层2修饰的衬底层1； 所述负光刻胶的制备方法为：按重量份计称取20-30份光刻胶前驱体、5-10份3-氨基丙基三乙氧基硅烷和75-100份二甲基亚砜加入到反应釜中，常温下搅拌5-10min，反应釜温度下降至0-5℃，向其中加入1-2份1-羟基苯并三唑和1-2份二环己基碳二亚胺，保温反应1-2h，后处理得到负光刻胶； 所述负光刻胶前驱体的制备方法为：按重量份计称取20-30份3,3'-二氨基二苯甲酮、12-20份2,2-双3,4-二羧基苯基丙烷二酐、75-100份N,N-二甲基甲酰胺和1-3份三乙胺加入到反应釜中，常温下搅拌2-4h，后处理得到负光刻胶前驱体。

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