北京航空航天大学李云鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种磁传感器及磁传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310789033.8，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种磁传感器及磁传感器的制备方法是由李云鹏;朱大鹏;赵巍胜;周子童;张丹丹;罗天任;牟倩倩设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁传感器及磁传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁传感器及磁传感器的制备方法，涉及半导体器件及工艺技术领域，方法包括：对第一衬底进行刻蚀，形成第一凸起；在刻蚀处理后的第一衬底上形成第二衬底，第二衬底对应第一凸起具有第一凹陷；在第二衬底上形成全桥连接的第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻和第四磁阻，第一磁阻和第三磁阻位于第一凹陷的一侧，第二磁阻和第四磁阻位于第一凹陷的另一侧；剥离第一衬底得到磁传感器本体；沿第一凹陷对折磁传感器本体。本发明通过沿第一凹陷对折磁传感器本体，实现将相邻两个磁阻元件进行对折处理，使得惠斯通全桥结构相邻两个桥臂上的磁电阻单元具有相反的磁钉扎方向，提高磁传感器性能的稳定性，且工艺相对简单。
本发明授权一种磁传感器及磁传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 对第一衬底进行刻蚀，形成第一凸起； 在刻蚀处理后的所述第一衬底上形成第二衬底，所述第二衬底对应所述第一凸起具有第一凹陷； 在所述第二衬底上形成全桥连接的第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻和第四磁阻，其中，所述第一磁阻、所述第二磁阻、所述第三磁阻和所述第四磁阻的钉扎方向相同，所述第一磁阻分别与所述第二磁阻和所述第四磁阻的一端电连接，所述第三磁阻分别与所述第二磁阻和所述第四磁阻的另一端电连接，所述第一磁阻和所述第三磁阻位于所述第一凹陷的一侧，所述第二磁阻和所述第四磁阻位于所述第一凹陷的另一侧； 剥离所述第一衬底得到磁传感器本体； 沿所述第一凹陷对折所述磁传感器本体使所述第一磁阻和所述第三磁阻的钉扎方向与所述第二磁阻和所述第四磁阻的钉扎方向相反。
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