天合光能股份有限公司余坷获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411227712.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及其制备方法和光伏组件是由余坷;王子港;杨广涛;陈达明设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。太阳能电池包括：基底，包括邻接的金属接触区和非金属接触区；第一隧穿层位于基底的第一表面，并覆盖金属接触区和非金属接触区；第一掺杂层位于第一隧穿层远离基底的表面，并覆盖金属接触区和非金属接触区，第一掺杂层包含碳元素和或氮元素；第二隧穿层位于第一掺杂层远离基底的表面，并覆盖金属接触区；第二掺杂层位于第二隧穿层远离基底的表面，并覆盖金属接触区；其中，第二掺杂层中第一导电类型的掺杂元素的掺杂浓度大于第一掺杂层中第一导电类型的掺杂元素的掺杂浓度。提高了基底第一表面的钝化效果，减少了第一表面的寄生吸收，提高了太阳能电池的转换效率。
本发明授权太阳能电池及其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 基底，包括邻接的金属接触区和非金属接触区； 第一隧穿层，位于所述基底的第一表面，并覆盖所述金属接触区和所述非金属接触区； 第一掺杂层，位于所述第一隧穿层远离所述基底的表面，并覆盖所述金属接触区和所述非金属接触区，所述第一掺杂层包含碳元素和或氮元素； 第二隧穿层，位于所述第一掺杂层远离所述基底的表面，并覆盖所述金属接触区； 第二掺杂层，位于所述第二隧穿层远离所述基底的表面，并覆盖所述金属接触区； 透明导电层，位于所述第二掺杂层远离所述基底的表面上，至少覆盖所述金属接触区； 界面层，位于所述第二掺杂层远离所述基底的表面，并覆盖所述金属接触区，用于对第二掺杂层进行氢钝化； 其中，所述第二掺杂层中第一导电类型的掺杂元素的掺杂浓度大于所述第一掺杂层中第一导电类型的掺杂元素的掺杂浓度；所述界面层的相背表面分别与所述第二掺杂层和所述透明导电层邻接。
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