中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张永毅获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种高硅负载碳纳米管复合薄膜电极及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410956315.7，技术领域涉及：H01M4/1395；该发明授权一种高硅负载碳纳米管复合薄膜电极及其制备方法与应用是由张永毅;侯增慧;曹玉芳;李清文设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高硅负载碳纳米管复合薄膜电极及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高硅负载碳纳米管复合薄膜电极及其制备方法与应用。所述制备方法包括：提供包含纳米硅、聚乙烯吡咯烷酮和溶剂的纳米硅分散液；使连续碳纳米管网络与该纳米硅分散液充分接触，使连续碳纳米管网络与纳米硅连续原位动态均匀复合，并同步收缩纤维化，通过连续收集层层组装、干燥，制得碳纳米管纳米硅复合薄膜，之后高温碳化及辊压处理，制得高硅负载碳纳米管复合薄膜电极。本发明采用原位连续复合技术制备高硅负载碳纳米管复合薄膜电极，电极中长程连续致密碳纳米管导电骨架能够实现高硅负载的同时增强电极结构稳定性，所制备的复合薄膜电极具有优异的抗拉耐弯折性能、导电性以及储锂性能比容量、循环稳定性。
本发明授权一种高硅负载碳纳米管复合薄膜电极及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高硅负载碳纳米管复合薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括： 提供包含纳米硅、聚乙烯吡咯烷酮和溶剂的纳米硅分散液； 使连续碳纳米管网络与所述纳米硅分散液充分接触，使连续碳纳米管网络与纳米硅连续原位动态均匀复合，并同步收缩纤维化，通过连续收集层层组装、干燥，制得碳纳米管纳米硅复合薄膜； 在惰性气氛中，对所述碳纳米管纳米硅复合薄膜进行高温碳化处理及辊压处理，制得高硅负载碳纳米管复合薄膜电极。
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