江苏捷捷微电子股份有限公司黄健获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411034975.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法是由黄健;叶士杰;陈宏;郭亚楠;刘洋;刁绅;皮彬彬设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SiC基RC‑IGBT结构及其制备方法。RC‑IGBT结构包括第一导电类型的半导体衬底；所述半导体衬底的正面有元胞结构，半导体衬底的背面有集电极结构。其特点是，所述半导体衬底由SiC材料制备而成。该RC‑IGBT结构的内置二极管Vf小，反向恢复时间短。
本发明授权一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC基RC-IGBT的结构，包括第一导电类型的半导体衬底；所述半导体衬底的正面有元胞结构，半导体衬底的背面有集电极结构；其特征在于，所述半导体衬底由SiC材料制备而成；所述元胞结构含有两个位于所述半导体衬底正面的栅极沟槽；所述栅极沟槽的侧壁及底壁上均生长有栅极氧化层，生长有栅极氧化层的栅极沟槽内填充有栅极多晶硅，栅极多晶硅通过设置在栅极沟槽槽口的层间氧化层与半导体衬底正面淀积的金属层绝缘隔离；相连两个栅极沟槽间有第二导电类型的势垒区，势垒区的深度小于栅极沟槽深度，势垒区与沟槽的侧壁均不接触；所述半导体衬底正面淀积的金属层与半导体衬底正面第二导电类型区域为欧姆接触，其余部分为肖特基接触；栅极沟槽外侧均有发射极结构；所述发射极结构自上而下含有第一导电类型的第一发射区和第二导电类型的第二发射区，第一发射区和第二发射区均与对应的栅极沟槽侧壁接触，第二发射区的深度小于栅极沟槽深度；所述第二发射区的上部有贯穿第一发射区的接触孔，接触孔有填充金属，填充金属与所述金属层相连，填充金属与所述第一发射区以及第二发射区均为欧姆接触。
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