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龙图腾网获悉华天科技(昆山)电子有限公司申请的专利一种简化互联结构重布线的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410893007.4，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种简化互联结构重布线的工艺方法是由孙妮;王姣;马书英设计研发完成，并于2024-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种简化互联结构重布线的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种简化互联结构重布线的工艺方法，包括以下步骤：步骤一：在芯片上制备金属层；步骤二：将多个步骤一所得芯片包覆形成一个整体；步骤三：在步骤二所得半成品表面增设绝缘层Ⅰ；步骤四：在绝缘层Ⅰ表面形成导电层；步骤五：在导电层表面形成第一层RDL图形；步骤六：形成RDL图形层；步骤七：在RDL图形层表面形成绝缘层Ⅱ；步骤八：使芯片pad和或RDL图形层裸露；步骤九：在步骤八的基础上，进行RDL增层工序，形成重布线层，通过一次性穿透多个金属层来实现各RDL层之间的导通。本发明通过一次性穿透多个金属层来实现各RDL层之间的导通，实现与各芯片互联，实现多层RDL布线，可有效的降低工艺成本。

本发明授权一种简化互联结构重布线的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：在芯片上制备金属层，所述金属层的厚度为3微米以上； 步骤二：采用塑封或者贴绝缘膜的方式，将多个步骤一所得芯片包覆形成一个整体，使得多个芯片在同一个平面； 步骤三：在步骤二所得半成品表面增设绝缘层Ⅰ，所述绝缘层Ⅰ的厚度大于5微米； 步骤四：在绝缘层Ⅰ表面形成导电层； 步骤五：在导电层表面形成第一层RDL图形； 步骤六：通过刻蚀的方式形成RDL图形层； 步骤七：在RDL图形层表面形成绝缘层Ⅱ； 步骤八：使芯片pad和RDL图形层裸露； 步骤九：在步骤八的基础上，进行RDL增层工序，形成重布线层，通过一次性穿透金属层、RDL图形层来实现金属层、RDL图形层、重布线层之间的导通； 步骤四中，在绝缘层Ⅰ表面形成导电层的步骤包括： 首先在绝缘层Ⅰ表面形成种子层，再在种子层上方采用电镀的工艺形成导电层； 步骤五中，在导电层表面形成第一层RDL图形的步骤包括： 在导电层表面贴上过程胶膜，过程胶膜为可光刻胶膜，再通过曝光显影方式形成第一层RDL图形，所述过程胶膜在步骤六中去除； 步骤八中，通过UVamp;CO2开孔的方式，结合具体设计，进行各种搭配，制作出不同种类的互联层，使得芯片pad裸露和RDL图形层裸露。

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