北京北方华创微电子装备有限公司张磊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种基片台系统及MPCVD设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118668191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410702675.4,技术领域涉及:C23C16/458;该发明授权一种基片台系统及MPCVD设备是由张磊;朱磊;贾燕伟;赵万辉;吴周礼设计研发完成,并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基片台系统及MPCVD设备在说明书摘要公布了:本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备,包括:层叠设置的微波反射台和大钼台;基片台,设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧;其中,所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起,所述环形凸起与所述基片台同轴,并环绕在所述基片台的外周。如此设置,在基片台的外周设置环形凸台,可以使基片台上方形成的等离子体分布较为均匀,进而减小中心和边缘的温度差,保证金刚石生长速率一致,降低金刚石晶体应力,降低裂片率。
本发明授权一种基片台系统及MPCVD设备在权利要求书中公布了:1.一种基片台系统,其特征在于,包括: 层叠设置的微波反射台和大钼台; 基片台,设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧; 其中,所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起,所述环形凸起与所述基片台同轴,并环绕在所述基片台的外周;所述基片台面向所述大钼台一侧具有第二接触结构,所述基片台通过所述第二接触结构与所述大钼台接触,所述第二接触结构设置为线接触结构或者点接触结构。
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