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龙图腾网获悉深圳市安信达存储技术有限公司申请的专利存储芯片的智能销毁方法、装置、电子设备以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118520522B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410922522.0，技术领域涉及：G06F21/79；该发明授权存储芯片的智能销毁方法、装置、电子设备以及存储介质是由李修录;朱小聪;尹善腾设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储芯片的智能销毁方法、装置、电子设备以及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，提供一种存储芯片的智能销毁方法、装置、电子设备以及存储介质，所述存储芯片包括印刷电路板，所述印刷电路板上设置有闪存、充电模块以及电容模块；所述方法包括：在接收到销毁指令时，控制所述充电模块将所述电容模块充电至预设电压；在所述电容模块充电至预设电压之后，控制所述充电模块停止对所述电容模块充电，所述电容模块向所述闪存放电以销毁所述闪存。本申请中在充电模块给电容模块充电后，电容模块可以施加高电压使得闪存的结构受损，从而实现物理层面的数据销毁，可靠性高。

本发明授权存储芯片的智能销毁方法、装置、电子设备以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片的智能销毁方法，其特征在于，所述存储芯片包括印刷电路板，所述印刷电路板上设置有闪存、充电模块以及电容模块，所述电容模块的每个钽电容都和一个电阻串联，所述印刷电路板上还设置有用于短路所述电阻的电阻开关； 所述印刷电路板还包括第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块以及限流模块； 每个所述电容模块包括多个电容，所述多个电容并联设置，将多个电容进行排序，所述多个电容中除了第一个电容之外，其余每个电容都连接于一个NMOS管，所述NMOS管对应的电容为当前电容，每个NMOS管的栅极连接于所述当前电容的上一个电容的第二端，上一个电容的第二端连接于所述第一开关模块，源极连接于所述第一开关模块，漏极连接于所述当前电容； 所述方法包括： 在接收到销毁指令时，控制所述充电模块将所述电容模块充电至预设电压；所述在接收到销毁指令时，控制所述充电模块将所述电容模块充电至预设电压，包括：在接收到销毁指令时，控制所述第一开关模块开通，以控制所述充电模块将所述电容模块充电至预设电压； 所述控制所述充电模块将所述电容模块充电至预设电压，包括：控制所述充电模块向所述电容模块充电预设时间，以使所述电容模块的电压达到预设电压，其中，控制所述第一开关模块和所有所述电阻开关开通以限制所述第一开关模块开通的瞬间的冲击电流和电压尖峰；在充电第一预设时间后，关断所有所述电阻开关进行快速充电； 在所述电容模块充电至预设电压之后，控制所述充电模块停止对所述电容模块充电，所述电容模块向所述闪存放电以销毁所述闪存，其中，在充电第二预设时间后，关断所述第一开关模块以使所述电容模块对所述闪存放电销毁所述闪存； 在所述第一开关模块开通时，若接收到停止销毁指令，则控制所述第一开关模块和所述第二开关模块关断，所述第三开关模块开通，其中，在开通所述第三开关模块且关断所述第二开关模块后，关断所述第一开关模块，使得所述电容模块通过所述限流模块释放电能。

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