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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种针对基片集成波导滤波器电热耦合效应的仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118410768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410568392.5，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种针对基片集成波导滤波器电热耦合效应的仿真方法是由唐旻;郑泽昊设计研发完成，并于2024-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对基片集成波导滤波器电热耦合效应的仿真方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种针对基片集成波导滤波器电热耦合效应的仿真方法，所述方法包括下列步骤：S1：提取基片集成波导滤波器的通孔阵列的等效热导率；S2：建立基片集成波导滤波器的热导网络；S3：根据谐振腔模式理论，获取基片集成波导滤波器各谐振腔的电磁场分布；S4：基于电磁场分布，对基片集成波导滤波器的电磁损耗进行解析建模；S5：将电磁损耗作为热源，仿真基片集成波导滤波器的温度场分布；S6：若前后两次温度场计算结果的偏差大于设置阈值，则优化更新温度场，并重复步骤S3至S5，直到仿真结果收敛。本发明极大地缩短了电热仿真的时间，适用于对基片集成波导滤波器电热耦合效应的快速评估。

本发明授权一种针对基片集成波导滤波器电热耦合效应的仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种针对基片集成波导滤波器电热耦合效应的仿真方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1：提取基片集成波导滤波器的通孔阵列的等效热导率； S2：建立基片集成波导滤波器的热导网络； S3：根据谐振腔模式理论，获取基片集成波导滤波器各谐振腔的电磁场分布，第u个谐振腔中电磁场分量的表达式为： 其中，a和b分别为谐振腔的等效长度和宽度，km0n＝[mπa2+nπb2]12为谐振波数，m和n为x和z方向上的模式数，η＝με12为本征阻抗，μ和ε分别为填充介质的磁导率和介电常数； S4：基于电磁场分布，对基片集成波导滤波器的电磁损耗进行解析建模，基片集成波导滤波器的导体损耗表达式为：其中，T为温度，为表面电阻，σ0为环境温度Tamb时的金属电导率，β为电阻率的温度系数；基片集成波导滤波器的介质损耗表达式为：其中，ωu为第u个谐振腔的谐振角频率，tanδ为介质损耗角正切，εT＝ε0εr0[1+γT-Tamb]为介质的温变介电常数，其中ε0为真空介电常数，εr0为环境温度Tamb时介质基板的相对介电常数，γ为介电常数的温度系数； S5：将电磁损耗作为热源，仿真基片集成波导滤波器的温度场分布； S6：若前后两次温度场计算结果的偏差大于设置阈值，则优化更新温度场，并重复步骤S3至S5，直到仿真结果收敛，设TN-1和TN分别为第N-1次和第N次迭代得到的温度场，若ΔT＝||TN-TN-1||2小于收敛误差δ，则终止迭代并输出温度场TN；否则通过公式更新温度场作为下一次迭代的输入，其中λN为松弛因子。

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