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龙图腾网获悉北京航天雷特机电工程有限公司;北京航天试验技术研究所申请的专利一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118254437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410554263.0，技术领域涉及：B32B27/02；该发明授权一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法是由戴俊宏;许冬梅;王瑞岭;艾青松;傅丽强;孙金贵;张静;马铮;吴中伟;郝雪琪设计研发完成，并于2024-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法，属于防刺材料领域。本发明采用不同面密度的芳纶无纬布，通过控制纤维和胶黏剂用量实现面密度的调整，其中低面密度芳纶无纬布范围在220～240g㎡，高面密度芳纶无纬布范围在340～550g㎡；所述多层级面密度轻型防刺芯片的结构为：自迎刺面至贴身面由低面密度芳纶无纬布依次层叠至高面密度芳纶无纬布。本发明通过将不同面密度的芳纶无纬布进行结构设计，将高面密度芳纶无纬布与低面密度芳纶无纬布进行组合，提升防刺芯片的防刺性能，从而减少防刺芯片层数，降低防刺芯片重量，实现减重的目的，同时有效地提高芳纶无纬布防刺芯片的防刺性能。

本发明授权一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层级面密度轻型防刺芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：通过控制纤维及胶黏剂用量织造不同面密度的芳纶无纬布，其中，低面密度芳纶无纬布的纤维占比为75～79％，胶黏剂占比为25～21％；高面密度芳纶无纬布的纤维占比为80～85％，胶黏剂占比为15～20％；芳纶无纬布的纤维叠加方向包括[0°90°]双层叠加、[0°90°0°]三层叠加、[0°90°0°90°]四层叠加； S2：将织造好的芳纶无纬布经热压处理后得到防刺布，其中，低面密度芳纶无纬布经15min热压处理，得到面密度范围在220～240g㎡的低面密度防刺无纬布；高面密度芳纶无纬布经20min～25min热压处理，得到面密度范围在340～550g㎡的高面密度防刺无纬布； S3：将不同面密度的防刺布按自迎刺面至贴身面为多层低面密度防刺无纬布到多层高密度防刺无纬布的层叠顺序层叠，并与缓冲层材料叠加形成防刺芯片，所述防刺芯片的面密度范围为5.38～5.50kg㎡；低面密度防刺无纬布的层数为14～17层；高面密度防刺无纬布的层数为3～5层；缓冲层结构为2～4层单层厚度4～10mm的聚乙烯发泡棉叠放形成12～18mm厚的缓冲层；缓冲层若用不同厚度的单层进行组合，则由薄至厚叠放。

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