上海御微半导体技术有限公司孙良峰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海御微半导体技术有限公司申请的专利一种侧面追焦的检测装置和检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117705812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410108006.4，技术领域涉及：G01N21/88；该发明授权一种侧面追焦的检测装置和检测方法是由孙良峰设计研发完成，并于2024-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种侧面追焦的检测装置和检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种侧面追焦的检测装置和检测方法。其中，该检测装置包括：承载结构，用于固定硅片并带动硅片旋转；成像单元，用于对硅片侧面进行成像；补偿结构，与成像单元相对固定设置，用于带动成像单元移动；控制单元，分别与成像单元和补偿结构通信连接，用于在承载结构的不同转动量下，控制补偿结构移动的同时实时获取成像单元的成像图像，并根据预设成像要求下补偿结构的移动量确定硅片的偏心量；根据需求转动量、硅片的尺寸、成像单元的位置信息和偏心量确定补偿结构的补偿量，并根据补偿量控制补偿结构移动，并控制成像单元对硅片的侧面进行检测。本发明的技术方案提高了硅片的侧面检测的精度，同时实现了追焦的功能。
本发明授权一种侧面追焦的检测装置和检测方法在权利要求书中公布了：1.一种侧面追焦的检测装置，其特征在于，包括： 承载结构，用于固定硅片并带动所述硅片旋转； 成像单元，用于对所述硅片侧面进行成像； 补偿结构，与所述成像单元相对固定设置，用于带动所述成像单元移动； 控制单元，分别与所述成像单元和所述补偿结构通信连接，用于在所述承载结构的至少三个不同转动量下，控制所述补偿结构移动的同时实时获取所述成像单元的成像图像，并根据预设成像要求下所述补偿结构的至少三个不同移动量确定所述硅片的偏心量；根据需求转动量、所述硅片的尺寸、所述成像单元的位置信息和所述偏心量确定所述补偿结构的补偿量，并根据所述补偿量控制所述补偿结构移动，并控制所述成像单元对所述硅片的侧面进行检测。
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