重庆大学韦玮获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利抗辐照硅基单光子探测器面阵及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311614208.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权抗辐照硅基单光子探测器面阵及制备方法是由韦玮;骆鹏;兰桂莲;张晓健;杨利平;郭安然;刘昌举设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗辐照硅基单光子探测器面阵及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测技术领域，具体涉及一种抗辐照硅基单光子探测器面阵及制备方法，包括单光子探测阵列芯片、镀于单光子探测阵列芯片上表面的钝化层以及形成于钝化层上表面的微纳结构阵列；所述钝化层包括SiO2薄膜和位于SiO2薄膜上方的Si3N4薄膜；所述微纳结构阵列为Si3N4薄膜通过刻蚀工艺得到。还公开了上述抗辐照硅基单光子探测器的制备方法。通过将微纳结构阵列与单光子探测器阵列进行纵向集成，减小活性层表面缺陷态密度，在宽波段范围内增强光学透过率，以此提高单光子探测器光电探测性能和抗辐照水平。具有光学透过率高、光电探测性能高和抗辐照性能高等优点，可用于激光雷达、量子信息、荧光测量等领域。
本发明授权抗辐照硅基单光子探测器面阵及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照硅基单光子探测器面阵，其特征在于：包括单光子探测阵列芯片1、镀于单光子探测阵列芯片1上表面的钝化层2以及形成于钝化层上表面的微纳结构阵列3；所述微纳结构阵列3尺寸和周期范围为1μm~10μm，厚度范围为50nm~200nm，所述微纳结构阵列3在器件的横切方向上呈矩形、圆形、三角形、十字形或圆孔形； 所述钝化层2包括SiO2薄膜和位于SiO2薄膜上方的Si3N4薄膜；所述钝化层2中SiO2薄膜的厚度为5nm~30nm，Si3N4薄膜的厚度为20nm~1000nm； 所述微纳结构阵列3为Si3N4薄膜通过刻蚀工艺得到。
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