苏州威迈芯材半导体有限公司刘斌获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州威迈芯材半导体有限公司申请的专利一种高剥离强度底部抗反射涂层树脂的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117586681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311453013.X,技术领域涉及:C09D143/04;该发明授权一种高剥离强度底部抗反射涂层树脂的制备方法是由刘斌;吴绍伟;任丹丹;张凌设计研发完成,并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高剥离强度底部抗反射涂层树脂的制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种高剥离强度底部抗反射涂层树脂,该树脂包含化学式1所示的结构式:其中,式1中R1所表示的结构为三甲基硅基、二甲基硅基、叔丁基二甲基硅基、三甲基硅氧基、叔丁基二甲基硅氧基中的一种或多种;其重均分子量在2000‑10万,PDI≤2.0。本发明通过用含硅单体与甲基丙烯酸缩水甘油酯、9‑甲基丙烯酸蒽酯进行多元共聚,制备出的树脂具有高的耐热性、高的剥离强度,可应用于半导体制造领域底部抗反射涂层中。
本发明授权一种高剥离强度底部抗反射涂层树脂的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高剥离强度底部抗反射涂层树脂,其特征在于,所述树脂具有式1所示的结构: ; 其中,式1中R1所表示的结构为三甲基硅基、二甲基硅基、叔丁基二甲基硅基、三甲基硅氧基、叔丁基二甲基硅氧基中的一种或多种;其重均分子量在2000-10万,PDI≤2.0;所述树脂中x结构单体所占总摩尔比例≥50%,y结构单体所占总摩尔比例为10%-30%,z结构单体所占总摩尔比例≤40%。
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