禹德芯电子科技(上海)有限公司常鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉禹德芯电子科技(上海)有限公司申请的专利一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117305785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311131180.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法是由常鸿;刘春海;龙飞;周德新设计研发完成，并于2023-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法，以铱Ir、锇Os为金属靶，通过改进磁控溅射工艺，在钼基底上沉积得厚度10～20μm的金属涂层，所制备的金属涂层与基底结合力可超过100N，且涂层致密、均匀性好，可作为CT用X射线管中阴极管表面激发电子的阴极使用。
本发明授权一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CT阴极管阴极表面涂层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1预处理 对钼基底依次进行抛光和清洗，并干燥备用； 2偏压反溅射清洗 将步骤1干燥后的钼基底置于磁控溅射设备的真空炉腔内，抽真空至不大于2×10-4Pa，在氩气气氛下，采用偏压反溅射清洗钼基底； 3靶材预溅射 在氩气气氛下，对金属靶材进行预溅射；金属靶材为铱或锇； 4沉积金属涂层 保持步骤3氩气气氛下，于溅射气压为0.6～1.0Pa、氩气流量为60～100sccm、溅射功率为200～300W、靶基距6～7cm、沉积温度200～400℃的条件下对金属靶材进行溅射，至沉积于钼基底表面的金属涂层达到设定厚度； 5去应力和矫正变形后处理 钼基底表面经金属涂层沉积完成后，抽真空至不大于4×10-4Pa，之后于沉积温度条件下静置5～8h，继后随炉冷却至100℃以下，再关闭真空系统，并至少静置12h，即可完成对钼基底表面金属涂层的去应力和矫正变形处理，得到用于CT阴极管表面的金属涂层。
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