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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种低缺陷氧化镓籽晶及其培育方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265645B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311021082.3，技术领域涉及：C30B15/34；该发明授权一种低缺陷氧化镓籽晶及其培育方法是由孟标;魏强民;黄俊;杨冰设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低缺陷氧化镓籽晶及其培育方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低缺陷氧化镓籽晶及其培育方法，属于氧化镓籽晶培育技术领域。该方法通过使有缺陷的籽晶的[010]晶向顺时针偏离导模炉轴向呈3°～8°倾斜角，经过引晶、缩颈、放肩、提脱工艺，得到第一次新生晶体；将第一次新生晶体切割为籽晶大小作为二次生长所需的新籽晶；按照前述方法采用新籽晶继续生长晶体得到第二次新生晶体，不同的是使新籽晶[010]晶向逆时针偏离导模炉轴向呈3°～8°倾斜角，将第二次新生晶体切割为籽晶大小，即为低缺陷的氧化镓籽晶。经过两次对称的籽晶偏转、引晶及缩颈后，极大程度地减少了新生籽晶的缺陷。新生籽晶可用于制备高质量的氧化镓单晶。

本发明授权一种低缺陷氧化镓籽晶及其培育方法在权利要求书中公布了：1.一种基于导模法培育低缺陷氧化镓籽晶的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在导模炉的坩埚中放入纯度≥99.999%的氧化镓粉末，将具有缺陷的籽晶固定在提拉杆上，逆时针转动籽晶，使其[010]晶向与导模炉轴向呈3°~8°的第一倾斜角； S2、将所述氧化镓粉末加热为熔体，对籽晶进行烘烤；使籽晶竖直下降与熔体接触，并以第一提拉速率向上提拉提拉杆以形成窄颈；随后将提拉速率减小至第二提拉速率，放肩并逐渐提拉得到第一次新生晶体；将所述第一次新生晶体切割为籽晶大小作为二次生长所需的新籽晶；所述窄颈的长度为18~22mm，横截面积为1mm2； S3、在导模炉的坩埚中放入纯度≥99.999%的氧化镓粉末，将步骤S2中得到的新籽晶固定在提拉杆上，顺时针转动籽晶，使其[010]晶向与导模炉轴向呈3°~8°的第二倾斜角；所述第二倾斜角与所述第一倾斜角沿导模炉轴向呈镜像对称； S4、按照步骤S2中的方法继续生长出第二次新生晶体；将得到的所述第二次新生晶体切割为籽晶大小，得到低缺陷的氧化镓籽晶。

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