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龙图腾网获悉常州大学申请的专利一种分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和选择性检测三叶苷的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117233229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311215358.1，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和选择性检测三叶苷的应用是由王文昌;梅雪;智佳佳;李庆宜;蒋鼎;卜李银;单学凌;陈智栋设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和选择性检测三叶苷的应用在说明书摘要公布了：本发明属于电化学分析检测技术领域，公开了一种分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和选择性检测三叶苷的应用，该操作包括：1制备的g‑C3N4@NiMOF复合材料修饰在玻碳电极表面。2将g‑C3N4@NiMOFGCE置于含邻苯二胺和TRI的磷酸盐缓冲液中，在三电极体系下通过循环伏安将o‑PD与TRI电聚合到电极表面，得MIP‑po‑PD‑TRIg‑C3N4@NiMOFGCE。3洗脱聚合膜中的TRI，形成特异性印迹空腔，得到MIP‑po‑PDg‑C3N4@NiMOFGCE传感器。该分子印迹电化学发光传感器检测TRI的操作简单、分析速度快、选择性较佳、灵敏度较高。

本发明授权一种分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和选择性检测三叶苷的应用在权利要求书中公布了：1.一种选择性检测TRI的分子印迹电化学发光传感器，其特征在于，以MIP-po-PDg-C3N4@NiMOFGCE作为检测TRI的分子印迹传感器，采用电化学发光法检测TRI；其中TRI为三叶苷； 分子印迹电化学发光传感器的制备方法为： 将玻碳电极抛光，依次用硝酸、无水乙醇和去离子水超声清洗，将g-C3N4@NiMOF分散液修饰在前处理后的玻碳电极表面，在红外灯下干燥后得到g-C3N4@NiMOFGCE；将g-C3N4@NiMOFGCE置于含邻苯二胺o-PD和TRI的磷酸盐缓冲液中，在三电极体系下，通过循环伏安法将功能单体o-PD与模板分子TRI电聚合到修饰电极表面，得到MIP-po-PD-TRIg-C3N4@NiMOFGCE；将MIP-po-PD-TRIg-C3N4@NiMOFGCE在KOH中浸泡以洗脱聚合膜中的模板分子TRI，得到MIP-po-PDg-C3N4@NiMOFGCE传感器； 其中，所述g-C3N4@NiMOF的制备方法包括如下操作步骤： S1.将三聚氰胺置于坩埚中，在马弗炉内加热到550℃进行反应；反应完成后，自然冷却至室温，采用研钵将获得的黄色块状固体，研磨成粉末，得g-C3N4； S2.将g-C3N4溶解在甲醇中，超声分散均匀，然后，往上述分散液中加入六水合硝酸镍和2-甲基咪唑，超声分散均匀后，将混合液移至反应釜中，180℃反应6h，反应完成后，冷却至室温，离心，并用甲醇洗涤，真空干燥得g-C3N4@NiMOF。

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