哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)陈宏涛获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117206530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311137506.2，技术领域涉及：B22F7/08；该发明授权三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法是由陈宏涛;王锦涛;王建强;王奉祎设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法，所述三维多孔泡沫铜的制备方法包括如下步骤：步骤S1，制备泡沫铜；步骤S2，将将泡沫铜在含氧的气氛中加热，使其孔壁表面生成氧化层，得到氧化后的泡沫铜；步骤S3，压缩氧化后的泡沫铜，成致密片状泡沫铜；步骤S4，去除氧化层，留下孔道，得到三维多孔结构的泡沫铜。采用本发明的技术方案得到的泡沫铜的孔壁表面具有若干孔道，杨氏模量低，可解决焊层界面处热膨胀系数失配问题，极大的提高器件在服役过程中经受热循环时的可靠性；降低焊层的杨氏模量，缓解焊层脆硬性，减轻热疲劳，同时能够抵御器件工作时频繁的热冲击，提供可靠的连接强度以抵御物理冲击。
本发明授权三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法在权利要求书中公布了：1.一种三维多孔泡沫铜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤S1，制备泡沫铜； 步骤S2，将泡沫铜在含氧的气氛中加热，使其孔壁表面生成氧化层，得到氧化后的泡沫铜；加热温度为300~600℃； 步骤S3，采用轧制或者热压方式，压缩氧化后的泡沫铜，成致密片状泡沫铜； 步骤S4，采用腐蚀液去去除氧化层，留下孔道，得到三维多孔结构的泡沫铜；所述腐蚀液为在质量百分比为15%-38%的浓氨水中加入氯化铵得到，氯化铵的质量百分比为10%-30%；腐蚀时间为60-120min。
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