湖北九峰山实验室胡昌宇获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种基于MOSCAP的调制器结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117111337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311053484.1，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种基于MOSCAP的调制器结构及其应用是由胡昌宇;应豪;王红莉;沈晓安设计研发完成，并于2023-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于MOSCAP的调制器结构及其应用在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种基于MOSCAP的调制器结构及其应用。该调制器结构至少包括脊形硅波导、下电极、绝缘体层、栅电极、接触电极，栅电极位于脊形硅波导的上方且其材料为透明导电氧化物，脊形硅波导为轻掺杂，下电极通过缓冲区与脊形硅波导的平板区连接，且下电极为重掺杂，缓冲区的掺杂浓度位于轻掺杂和重掺杂的掺杂浓度之间；栅电极和下电极分别与一接触电极电连接。该结构通过采用折射率差别较大的材料分别作为栅电极材料和波导材料，使得光场集中在波导中传输，栅电极厚度和尺寸、绝缘层厚度的改变对整体器件的传输损耗基本不产生影响，该结构为调制器电极设计、不同功能型调制器的设计提供了新的平台和思路。
本发明授权一种基于MOSCAP的调制器结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于MOSCAP的调制器结构，其特征在于，至少包括脊形硅波导2、与脊形硅波导2连接的下电极6、沉积在所述脊形硅波导2和所述下电极6上的绝缘体层3、依次叠加制作在绝缘体层3上的栅电极4和一个接触电极5； 所述栅电极4位于脊形硅波导2的上方且其材料为透明导电氧化物，所述脊形硅波导2为轻掺杂，所述下电极6通过缓冲区7与所述脊形硅波导2的平板区连接，且所述下电极6为重掺杂，所述缓冲区7的掺杂浓度位于轻掺杂和重掺杂的掺杂浓度之间； 所述栅电极4和所述下电极6分别与两个接触电极5电连接，其中与所述下电极6连接的另一个接触电极穿设于所述绝缘体层3。
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