秀博瑞殷株式公社李承铉获国家专利权
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龙图腾网获悉秀博瑞殷株式公社申请的专利氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116897222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380009417.1，技术领域涉及：C23C16/04；该发明授权氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件是由李承铉;郑在善;延昌峰;金德铉设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，提供预定结构的化合物作为氧化膜反应表面控制剂，基于该氧化膜反应表面控制剂的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性stepcoverage和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
本发明授权氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种选自由化学式1-1至化学式1-3、化学式2-1至化学式2-3表示的化合物中的一种以上化合物在原子层沉积工艺中作为氧化膜反应表面控制剂的应用，所述化合物用于在纵横比为20∶1以上的半导体基板上对于待形成氧化膜的基板表面进行预处理，其特征在于， 所述化合物包括选自具有三个以上的含有孤电子对的元素物种的环状化合物以及具有三个以上的含有孤电子对的元素物种的线型化合物中的一种以上化合物，所述氧化膜由选自三价金属、四价金属、五价金属以及六价金属中的一种以上的前体化合物形成， 其中，所述具有三个以上的含有孤电子对的元素物种的环状化合物为由化学式1-1至化学式1-3表示的化合物， 化学式1-1至化学式1-3： 其中，所述具有三个以上的含有孤电子对的元素物种的线型化合物为由化学式2-1至化学式2-3表示的化合物， 化学式2-1至化学式2-3： 。
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