安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种内置拓扑平带层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310604537.8，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种内置拓扑平带层的半导体激光元件是由李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置拓扑平带层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种内置拓扑平带层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间设有拓扑平带层；拓扑平带层为KMn6Bi5、KAgCN2、Pb2SbO7、Rb2CaH4、Ca2NCl的任意一种或任意组合；拓扑平带层具有奇异的磁性和超导性，具有平带轨道特性和准平面能带杂化，形成不易被破坏的稳定闭合环状狄拉克节线，降低能量色散，诱导降低折射率色散，提升限制因子，增强模式增益，同时，产生面内各向异性和振动各向异性，降低光波导吸收损耗，降低内部光学损耗，从而加强激光元件的受激辐射，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
本发明授权一种内置拓扑平带层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种内置拓扑平带层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：上波导层104之间与电子阻挡层105之间设有拓扑平带层107； 所述拓扑平带层107具有奇异的磁性和超导性，具有平带轨道特性和准平面能带杂化，形成不易被破坏的稳定闭合环状狄拉克节线，降低能量色散，诱导降低折射率色散，提升限制因子，增强模式增益，同时，产生面内各向异性和振动各向异性，降低光波导吸收损耗，降低内部光学损耗，从而加强激光元件的受激辐射，提升激光元件的激射功率和斜率效率； 所述拓扑平带层107为KMn6Bi5、KAgCN2、Pb2SbO7、Rb2CaH4、Ca2NCl的任意一种或任意组合。
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