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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置及半导体模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116250088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280006391.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置及半导体模组是由山本兴辉;秋吉伸一;网师本亮一设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体模组在说明书摘要公布了：半导体装置1具备：半导体层40；晶体管10及晶体管20，形成在半导体层40内；1个以上的第1源极焊盘111、以及第1栅极焊盘119，形成在半导体层40的上表面的区域S1中，第1源极焊盘与晶体管10的源极连接，第1栅极焊盘与栅极连接；以及1个以上的第2源极焊盘121、及第2栅极焊盘129，形成在半导体层40的上表面的在半导体层40的平面图中与区域S1相邻的区域S2中，第2源极焊盘与晶体管20的源极连接，第2栅极焊盘与栅极连接；在半导体层40的平面图中，将第1栅极焊盘119的中心与第2栅极焊盘129的中心连结的假想直线91经过半导体层40的中心，与半导体层40的各边所成的角是45度；区域S1和区域S2的上表面边界线600在半导体层40的长边延伸的长边方向及短边延伸的短边方向上单调地变化。

本发明授权半导体装置及半导体模组在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体层； 金属层，与上述半导体层的背面接触而形成； 第1纵型MOS晶体管，形成在上述半导体层的内部的第1半导体层内区域； 第2纵型MOS晶体管，形成在上述内部的在上述半导体层的平面图中与上述第1半导体层内区域相邻的第2半导体层内区域； 第1栅极焊盘及1个以上的第1源极焊盘，形成在上述半导体层的上表面的第1半导体层上表面区域，上述第1源极焊盘与上述第1纵型MOS晶体管的源极电极连接，上述第1栅极焊盘与上述第1纵型MOS晶体管的栅极电极连接；以及 第2栅极焊盘及1个以上的第2源极焊盘，形成在上述上表面的在上述半导体层的平面图中与上述第1半导体层上表面区域相邻的第2半导体层上表面区域，上述第2源极焊盘与上述第2纵型MOS晶体管的源极电极连接，上述第2栅极焊盘与上述第2纵型MOS晶体管的栅极电极连接； 上述第1半导体层内区域和上述第2半导体层内区域是在上述半导体层的平面图中将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方； 上述第1半导体层上表面区域和上述第2半导体层上表面区域是在上述半导体层的平面图中将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方； 上述半导体层具有半导体衬底； 上述半导体衬底作为上述第1纵型MOS晶体管及上述第2纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能； 上述半导体层在上述半导体层的平面图中是矩形； 在上述半导体层的平面图中， 将上述第1栅极焊盘的中心与上述第2栅极焊盘的中心连结的第1假想直线经过上述半导体层的中心，与上述半导体层的各边所成的角是45度； 上述第1半导体层上表面区域与上述第2半导体层上表面区域之间的边界线即上表面边界线的长度比上述半导体层的长边的长度长； 上述上表面边界线，在上述长边延伸的长边方向及上述半导体层的短边延伸的短边方向上单调地变化。

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