旺宏电子股份有限公司黄珈择获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利三维快闪存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115867036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111155803.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维快闪存储器及其形成方法是由黄珈择设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维快闪存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维快闪存储器包括：基底、堆叠结构、停止层、两个狭缝沟道、多个垂直通道结构以及多个狭缝开孔。堆叠结构配置在基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个导体层。停止层配置在基底与堆叠结构之间。两个狭缝沟道贯穿堆叠结构以暴露出停止层。多个垂直通道结构配置在两个狭缝沟道之间，且贯穿堆叠结构与停止层。多个狭缝开孔离散配置在多个垂直通道结构之间，且贯穿堆叠结构以暴露出停止层。另提供一种三维与门快闪存储器的形成方法。
本发明授权三维快闪存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维快闪存储器，其特征在于，包括： 基底； 堆叠结构，配置在所述基底上，其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个导体层； 停止层，配置在所述基底与所述堆叠结构之间； 相邻两个狭缝沟道slitchannel，贯穿所述堆叠结构，其中所述相邻两个狭缝沟道具有平均宽度Wsc； 多个垂直通道结构，配置在所述相邻两个狭缝沟道之间，且贯穿所述堆叠结构，每一个垂直通道结构包括被通道层环绕的第一源极漏极柱与第二源极漏极柱；以及 多个狭缝开孔slitopening，离散配置在所述多个垂直通道结构之间，且贯穿所述堆叠结构，其中所述多个狭缝开孔的平均宽度Wso大于或等于所述相邻两个狭缝沟道的所述平均宽度Wsc，其中，所述通道层与所述停止层之间配置氧化物层。
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