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龙图腾网获悉杭州电子科技大学;浙江英洛华磁业有限公司申请的专利一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R-T-B稀土永磁体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211452252.9，技术领域涉及：H01F1/057；该发明授权一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R-T-B稀土永磁体及其制备方法是由付松;陈彪;赵利忠;吴朗靖;章兆能;张浩男;张雪峰设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R-T-B稀土永磁体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法。本发明采用重稀土元素Dy、Tb、Ho中的至少一种、高熔点元素Zr、Ti和低熔点金属Al、Ga、Cu中的至少一种制备扩散源，并对烧结态的磁体进行晶界扩散处理，制得表面强化的R‑T‑B稀土永磁体。本发明的晶界扩散的高熔点元素析出物可以抑制主相晶粒在晶界扩散过程中过度长大，实现细化主相晶粒的同时提高整块磁体主相晶粒尺寸的均匀性。本发明的晶界扩散磁体具有更高的矫顽力和方形度，降低晶界扩散后磁体剩磁的降低量；并且可以提高晶界富Nd相抵抗裂纹扩展能力，结合主相晶粒细化能够在提高磁体表面层的强硬度的同时提高磁体的断裂韧性，从而提高表面加工时产品的合格率。

本发明授权一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R-T-B稀土永磁体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R-T-B稀土永磁体，其特征在于，所述磁体包括以下质量分数的成分： R：29wt.%-34wt.%， B：0.9wt.%-1.1wt.%， M：0.1wt.%-0.3wt.%， X：0.2wt.%-3.0wt.%， 余量为T以及不可避免杂质，其中T包含Fe和Co，且T的75wt.%以上为Fe； 所述R由R1和R2组成，其中R1为Nd、Pr中的至少一种，R2为Tb、Dy、Ho中的一种或多种，且满足R2、R的质量比为0.2%-18%； 所述M为高熔点元素，包括Zr、Ti中的至少一种； 所述X包括Al、Ga、Cu中的一种或多种； 所述磁体通过磁体基体表面覆盖含高熔点元素的扩散源后，进行晶界扩散制得，所述磁体按以下方法制备得到：按照成分配比熔甩SC片，采用氢破碎和气流磨制备合金粉末，合金粉末与在取向磁场进行模压成型、等静压制备压坯，真空烧结后，在磁体表面覆盖扩散源，进行晶界扩散、然后二级时效制得所述R-T-B稀土永磁体； 所述扩散源的成分包括以下质量分数的成分： RD：55wt.%-84wt.%，其中RD为重稀土元素Dy、Tb或Ho中的至少一种， MD：15wt.%-40wt.%，MD为Zr、Ti中的至少一种； XD：0.1wt.%-10wt.%，XD为Al、Ga或Cu中的至少一种； 所述SC片的成分中不含RD，所述SC片不含高熔点元素； 所述晶界扩散的温度为900℃-1000℃，保温时间3h-8h； 所述磁体距磁体扩散源覆盖面越近的区域，高熔点元素含量越高；随着距扩散源覆盖面的距离的增加，磁体的高熔点元素含量逐渐降低。

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