格芯(美国)集成电路科技有限公司E·G·盖布里斯莱希获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利非平面硅化半导体电熔丝获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551396B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111374294.0，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权非平面硅化半导体电熔丝是由E·G·盖布里斯莱希;V·杰恩;Y·T·尼古;J·A·坎塔罗夫斯基;A·F·卢瓦索设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本非平面硅化半导体电熔丝在说明书摘要公布了：本发明涉及非平面硅化半导体电熔丝。一种电熔丝包括熔丝链，熔丝链包括位于覆盖栅极导体的电介质层上方的硅化半导体层。硅化半导体层是非平面的并且在栅极导体上方正交延伸。第一端子电耦接到熔丝链的第一端，第二端子电耦接到熔丝链的第二端。熔丝链可以与双极型晶体管的内基极和或外基极形成在同一层。栅极导体可以控制电流源以对电熔丝进行编程。与常规电熔丝相比，该电熔丝减小了占位面积和所需的编程能量。
本发明授权非平面硅化半导体电熔丝在权利要求书中公布了：1.一种电熔丝，包括： 熔丝链，其包括位于覆盖栅极导体的电介质层上方的硅化半导体层，其中所述硅化半导体层是非平面的； 第一端子，其电耦接到所述熔丝链的第一端；以及 第二端子，其电耦接到所述熔丝链的第二端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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