中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵君红获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010613521.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵君红;赵海设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；在所述鳍部露出的所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁；在所述隔离层的顶部形成保护介质层；形成所述保护介质层后，形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁。本发明在鳍部露出的衬底上形成隔离层后，在形成伪栅结构之前，在所述隔离层的顶部形成保护介质层，当后续去除伪栅结构时，所述保护介质层能够起到保护所述隔离层的作用，从而降低所述隔离层受到损耗的概率，进而有利于减小对有效鳍部的高度的影响、以及提高有效鳍部的高度均一性，相应有利于提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底以及凸出于所述衬底的鳍部； 在所述鳍部露出的所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁； 在所述隔离层的顶部形成保护介质层，所述保护介质层覆盖所述鳍部之间的隔离层的顶部，且还覆盖所述鳍部和隔离层的拐角处； 形成所述保护介质层后，形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述隔离层与所述伪栅结构之间通过所述保护介质层相隔离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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