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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利发光二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223714521U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423317614.0，技术领域涉及：H10H20/814；该实用新型发光二极管是由沈侠强;李世焕;胡辉;任伟一设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种发光二极管，包括：外延层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层的掺杂类型相反，外延层中形成有第一通孔，第一通孔贯穿第二半导体层和有源层并暴露出第一半导体层；第一DBR层，位于所述第一通孔的内壁并延伸至所述第一通孔外围的所述第二半导体层表面，所述第一通孔外围的所述第一DBR层中形成有第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第一DBR层并暴露出所述第二半导体层；第一底部抗反射层，至少位于所述第一通孔开口处的所述第一DBR层远离所述外延层的部分表面，所述第一底部抗反射层吸收近紫外光且透射可见光；第一金属反射层，至少位于所述第一通孔开口处的所述第一底部抗反射层远离所述外延层的一面，所述第一金属反射层还延伸至所述第二通孔中，所述第一金属反射层与所述第二半导体层电连接。本实用新型使得发光二极管具有高反射能力的同时，还能提高光刻线宽精度和光刻工艺稳定性。

本实用新型发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 外延层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述外延层中形成有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第二半导体层和所述有源层并暴露出所述第一半导体层； 第一DBR层，位于所述第一通孔的内壁并延伸至所述第一通孔外围的所述第二半导体层表面，所述第一通孔外围的所述第一DBR层中形成有第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第一DBR层并暴露出所述第二半导体层； 第一底部抗反射层，至少位于所述第一通孔开口处的所述第一DBR层远离所述外延层的部分表面，所述第一底部抗反射层吸收近紫外光且透射可见光； 第一金属反射层，至少位于所述第一通孔开口处的所述第一底部抗反射层远离所述外延层的一面，所述第一金属反射层还延伸至所述第二通孔中，所述第一金属反射层与所述第二半导体层电连接。

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