英诺赛科(苏州)半导体有限公司宋亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种氮化镓器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223714496U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423318772.8，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种氮化镓器件是由宋亮;陈扶;赵杰;黄兴杰设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括：衬底、沟道层和复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层；第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一侧，第二势垒层用作刻蚀阻挡层，用于保护第一势垒层；第三势垒层位于第二势垒层远离第一势垒层的一侧；第四势垒层位于第三势垒层远离第二势垒层的一侧，第四势垒层用作静电消除层；栅极结构，位于第四势垒层远离第三势垒层的一侧，栅极结构包括掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层和栅极；源极和漏极。上述技术方案避免了对沟道层一侧的势垒层进行过刻，并且避免了栅极被静电荷损坏，从而提升了氮化镓器件的电学性能。
本实用新型一种氮化镓器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括： 衬底； 沟道层，位于所述衬底的一侧； 复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层；所述第一势垒层位于所述沟道层远离所述衬底的一侧；所述第二势垒层位于所述第一势垒层远离所述沟道层的一侧，所述第二势垒层用作刻蚀阻挡层，用于保护所述第一势垒层；所述第三势垒层位于所述第二势垒层远离所述第一势垒层的一侧；所述第四势垒层位于所述第三势垒层远离所述第二势垒层的一侧，所述第四势垒层用作静电消除层； 栅极结构，位于所述第四势垒层远离所述第三势垒层的一侧，所述栅极结构包括掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层和栅极；所述掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层位于所述第四势垒层远离所述第三势垒层的一侧；所述栅极位于所述掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层远离所述第四势垒层的一侧； 源极，位于所述第一势垒层远离所述沟道层的一侧； 漏极，位于所述第一势垒层远离所述沟道层的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励