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龙图腾网获悉厦门士兰集科微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请的专利肖特基二极管及其沟槽结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223714494U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423318585.X，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型肖特基二极管及其沟槽结构是由谢洋;梁勇;黄雨挥;廖凯霖;彭安显设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本肖特基二极管及其沟槽结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种肖特基二极管及其沟槽结构，包括衬底、外延及沟槽结构；沟槽结构的第一区域沟槽结构、第二区域沟槽结构和第三区域沟槽结构在外延上形成圆角矩形，并构成元胞区沟槽：第一区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的I个第一沟槽，I个第一沟槽位于外延上的中间区域；第二区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的J个第二沟槽，J个第二沟槽位于I个第一沟槽的外侧；第三区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的J个第三沟槽，J个第三沟槽位于圆角矩形的四个圆角处，第三沟槽的第一端连接第二沟槽，第三沟槽的第二端连接第一沟槽结构中的最外侧的第一沟槽。本实用新型中的肖特基二极管正向导通压降较小，抗浪涌电流能力较好。

本实用新型肖特基二极管及其沟槽结构在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管的沟槽结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延，位于所述衬底的正面； 沟槽结构，从所述外延表面延伸至所述外延内； 所述沟槽结构包括第一区域沟槽结构、第二区域沟槽结构和第三区域沟槽结构，所述第一区域沟槽结构、第二区域沟槽结构和第三区域沟槽结构在所述外延上形成圆角矩形，所述第一区域沟槽结构、第二区域沟槽结构和第三区域沟槽结构为元胞区沟槽： 所述第一区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的I个第一沟槽，所述I个第一沟槽位于所述外延上的中间区域，所述I为正整数； 所述第二区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的J个第二沟槽，所述J个第二沟槽位于所述I个第一沟槽的外侧，所述第一沟槽的长度长于所述第二沟槽的长度，所述J为正整数； 所述第三区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的J个第三沟槽，所述J个第三沟槽位于所述圆角矩形的四个圆角处，所述第三沟槽的数量等于所述第二沟槽，所述第三沟槽的第一端连接所述第二沟槽，所述第三沟槽的第二端连接所述第一沟槽结构中的最外侧的所述第一沟槽。

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