嘉兴斯达微电子有限公司陈烨获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴斯达微电子有限公司申请的专利一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223712771U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423216157.6,技术领域涉及:H01L25/18;该实用新型一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块是由陈烨;姚礼军;刘志红;郝红苗;凌曦;刘妍柔;黎裕辉设计研发完成,并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块。包括,芯片;绝缘陶瓷基板,所述芯片的背面设置在所述绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区,所述芯片的正面通过键合线连接在所述绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区,形成功率回路;加固层,设于所述芯片的正面的键合点上。本实用新型通过在键合点涂敷加固层,对键合点进行了固化加固,在更高芯片结温,更大温度变化的功率循环可靠性耐受实验中,键合点在加固层约束下变形更小,受到相对较小的应力,与芯片的键合绑定更不容易失效。从而可提升模块耐更高结温的应用,且键合绑定工艺耐诸如功率循环或温度循环能力更强,提高模块可靠性。
本实用新型一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块在权利要求书中公布了:1.一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块,其特征在于,包括, 芯片2; 绝缘陶瓷基板1,所述芯片2的背面设置在所述绝缘陶瓷基板1的导电铜层功率电路蚀刻区,所述芯片2的正面通过键合线3连接在所述绝缘陶瓷基板1的导电铜层功率电路蚀刻区,形成功率回路; 加固层5,设于所述芯片2的正面的键合点4上。
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