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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利量子点芯片结构及显示系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223712768U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423137506.5，技术领域涉及：H01L25/075；该实用新型量子点芯片结构及显示系统是由张楠;马艳红;刘利;艾进保;马后永;郝茂盛设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子点芯片结构及显示系统在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种量子点芯片结构及显示系统，包括：驱动衬底，第一表面设置有多个正电极连接点；介电层，设置于驱动衬底的第一表面，介电层中形成有多个凹坑；正电极连接点位于凹坑中，介电层不覆盖正电极连接点的顶面；金属反射层，覆盖凹坑的内壁以及正电极连接点，还覆盖凹坑顶部边缘；将正电极连接点引出到凹坑顶部边缘；相邻凹坑的金属反射层之间有间隙；金属反射层反射面位于远离凹坑内壁的一侧；量子点层，填充于凹坑中，位于金属反射层之上；LED芯片，设置于凹坑中，且位于量子点层之上，反射镜，设置于LED芯片远离量子点层一侧；反射面位于靠近LED芯片一侧。本实用新型的技术方案，避免了键合过程中的移位，键合良品率高。

本实用新型量子点芯片结构及显示系统在权利要求书中公布了：1.一种量子点芯片结构，其特征在于，包括： 驱动衬底，其第一表面设置有多个正电极连接点； 介电层，其设置于所述驱动衬底的第一表面，所述介电层中形成有多个凹坑，所述凹坑相对于所述介电层的一表面凹陷，该表面指所述介电层的远离所述驱动衬底的一面；所述正电极连接点位于所述凹坑中，所述凹坑与所述正电极连接点一一对应，所述介电层至少不覆盖所述正电极连接点的顶面； 金属反射层，其覆盖所述凹坑的内壁以及所述正电极连接点，还覆盖所述凹坑的顶部边缘；用于将所述正电极连接点引出到所述凹坑的顶部边缘；相邻所述凹坑对应的所述金属反射层之间有间隙；所述金属反射层的反射面位于远离所述凹坑的内壁的一侧； 量子点层，其填充于所述凹坑中，且位于所述金属反射层之上； LED芯片，其设置于所述凹坑中，且位于所述量子点层之上，所述LED的电极位于远离所述量子点层的一侧，用于与所述驱动衬底键合； 反射镜，其设置于所述LED芯片的远离所述量子点层的一侧；所述反射镜的反射面位于靠近所述LED芯片的一侧，用于对蓝光进行全反射，并对所述量子点层的颜色的光进行透射。

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