斯达半导体股份有限公司杨芳获国家专利权
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龙图腾网获悉斯达半导体股份有限公司申请的专利一种氮化镓芯片在功率模块中的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223712756U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423233814.8，技术领域涉及：H01L23/373；该实用新型一种氮化镓芯片在功率模块中的封装结构是由杨芳设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓芯片在功率模块中的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及功率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓芯片在功率模块中的封装结构，包括：封装壳体；所述封装壳体呈长立方体状；所述封装壳体中，沿长轴方向分布有多块氮化硅覆铜陶瓷基板；所述氮化硅覆铜陶瓷基板上设置有多个器件；多个所述氮化硅覆铜陶瓷基板之间通过键合线连接。针对现有技术中的框架结构散热效果不佳的问题，根据器件的功率分区设计了多个氮化硅覆铜陶瓷基板分别承载功率器件，并通过键合线连接。由于氮化硅覆铜陶瓷基板具有更好的耐温性和导热性，能够实现对功率器件较好的散热效果，同时，分段式的设计下氮化硅覆铜陶瓷基板不易产生变形，提高了器件的可靠性。
本实用新型一种氮化镓芯片在功率模块中的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓芯片在功率模块中的封装结构，其特征在于，包括封装壳体； 所述封装壳体呈长立方体状； 所述封装壳体中，沿长轴方向分布有多块氮化硅覆铜陶瓷基板； 所述氮化硅覆铜陶瓷基板上设置有多个器件； 多个所述氮化硅覆铜陶瓷基板之间通过键合线连接。
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