广西华芯振邦半导体有限公司赖金榜获国家专利权
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龙图腾网获悉广西华芯振邦半导体有限公司申请的专利一种多芯片堆叠封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223712752U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423035108.2，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种多芯片堆叠封装结构是由赖金榜;林育维;蒙中吕;闭忠权;张晏硕设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多芯片堆叠封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种多芯片堆叠封装结构，包含有中介层、设置在中介层上的第一Die、设置在中介层上的第二Die和设置在所述第一Die上的第三Die；所述第一Die通过第一μBump设置在所述中介层上，所述第二Die通过第二μBump设置在所述中介层上；所述第三Die通过第三μBump设置在所述第一Die上方；所述第一Die制作有通孔TSV，所述中介层形成有RDL重布线层。通过在将第一Die和第三Die堆叠封装在中介层上，并利用第一Die上设置的通孔TSV实现芯片间的直接通讯，将第二Die和第三Die采用倒装技术进行封装，缩短了第二Die和第三Die之间的距离，达到实现芯片之间直接通讯和支持异质芯片封装的目的。
本实用新型一种多芯片堆叠封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多芯片堆叠封装结构，其特征在于，包含有中介层、设置在中介层上的第一Die、设置在中介层上的第二Die和设置在所述第一Die上的第三Die； 所述第一Die通过第一μBump组设置在所述中介层上，所述第二Die通过第二μBump组设置在所述中介层上；所述第三Die通过第三μBump组设置在所述第一Die上方； 所述第一Die制作有两组通孔TSV，且两组通孔TSV设置在所述第一Die的两端； 所述中介层形成有RDL重布线层，所述第一Die和第二Die通过各自下方的μBump与所述RDL重布线层连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广西华芯振邦半导体有限公司，其通讯地址为：530000 广西壮族自治区南宁市公岸路6号产投五象振邦产业园3号至6号整栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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