意法半导体国际公司G·卡塔拉诺获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223712707U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422517219.0，技术领域涉及：H01L21/50；该实用新型一种半导体器件是由G·卡塔拉诺;A·梅里纳古塔多;A·阿里戈尼设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括：引线框架，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的裸片焊盘；在所述裸片焊盘的所述第一表面和所述第二表面上的粘附促进层；其中所述裸片焊盘包括在所述第二表面处围绕中心部分的凹陷的外围部分，其中所述粘附促进层不存在于所述凹陷的外围部分的表面处；半导体裸片，布置在裸片焊盘的第一表面处；以及电绝缘材料，包封所述引线框架以及所述半导体裸片；其中所述电绝缘材料覆盖所述凹陷的外围部分。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于所述半导体器件包括： 引线框架，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的裸片焊盘； 在所述裸片焊盘的所述第一表面和所述第二表面上的粘附促进层； 其中所述裸片焊盘包括在所述第二表面处围绕中心部分的凹陷的外围部分，其中所述粘附促进层不存在于所述凹陷的外围部分的表面处； 半导体裸片，布置在裸片焊盘的第一表面处；以及 电绝缘材料，包封所述引线框架以及所述半导体裸片； 其中所述电绝缘材料覆盖所述凹陷的外围部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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