浙江求是创芯半导体设备有限公司曹建伟获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江求是创芯半导体设备有限公司申请的专利一种离子源磁场发生装置及离子注入装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223712706U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423321061.6，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种离子源磁场发生装置及离子注入装置是由曹建伟;沈文杰;沈加富;李杰;汤承伟;彭建波;佘垒;吴尽设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种离子源磁场发生装置及离子注入装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种离子源磁场发生装置，离子源磁场发生装置包括：弧室壳体，弧室壳体内部形成有弧室腔；源磁组件，包括：一对分布在弧室壳体相对的两侧的磁源，以及，连接一对磁源的磁轭；任一磁源包括磁极和设置在磁极外缘的线圈，磁极被配置为：在离子束流方向上，磁极与弧室壳体间的相对位置可调。本申请提供的离子源磁场发生装置实现了对弧室腔内的磁场分布范围的修改，以满足不同工艺对磁场分布的需求。本申请还提供一种包括上述离子源磁场发生装置的离子注入装置。
本实用新型一种离子源磁场发生装置及离子注入装置在权利要求书中公布了：1.一种离子源磁场发生装置100，其特征在于，所述离子源磁场发生装置100包括： 弧室壳体11，所述弧室壳体11内部形成有弧室腔； 源磁组件12，包括：一对分布在弧室壳体11相对的两侧的磁源121，以及，连接一对所述磁源121的磁轭122； 任一所述磁源121包括磁极1212和设置在所述磁极1212外缘的线圈1211，所述磁极1212被配置为：在离子束流方向上，所述磁极1212与所述弧室壳体11间的相对位置可调。
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