上海芯之翼半导体材料有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯之翼半导体材料有限公司申请的专利半导体设备真空门阀密封结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223708766U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520012316.6，技术领域涉及：F16K51/02；该实用新型半导体设备真空门阀密封结构是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备真空门阀密封结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体设备真空门阀密封结构，其用于半导体离子镀法或电浆蚀刻工艺真空腔，包括：主沟槽形成在门阀基座板上，其用于容置第一密封圈；第一密封圈部分凸出主沟槽；两根侧沟槽分别布置在主沟槽的两侧，其用于容置第二密封圈；第二密封圈部分凸出侧沟槽；其中，第一密封圈是橡胶密封圈，第二密封圈是聚四氟乙烯密封圈。本实用新型对现有技术结构进行了改进，主沟槽中的第一密封圈采用橡胶密封圈起到弹性支撑的作用，保证产品的密封性能，侧沟槽中的第二密封圈采用PTFE抗腐蚀密封圈，提供优越的抗腐蚀性能。第二密封圈阻挡绝大部分的电浆，电浆无法直接轰击到第一密封圈，从而可以大大延长产品的使用寿命。
本实用新型半导体设备真空门阀密封结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备真空门阀密封结构，其用于半导体离子镀法或电浆蚀刻工艺真空腔，其特征在于，包括： 主沟槽5，其形成在门阀基座板4上，其用于容置第一密封圈6； 第一密封圈6，其部分凸出主沟槽5； 两根侧沟槽7，分别布置在主沟槽5的两侧，其用于容置第二密封圈8； 第二密封圈8，其部分凸出侧沟槽7； 其中，第一密封圈6是橡胶密封圈，第二密封圈8是聚四氟乙烯密封圈。
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