中电科第三代半导体技术创新(湖南)有限公司程文进获国家专利权
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龙图腾网获悉中电科第三代半导体技术创新(湖南)有限公司申请的专利一种结合束源炉且兼容多工艺路线的氧化镓外延装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223705819U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520176364.9，技术领域涉及：C30B25/14；该实用新型一种结合束源炉且兼容多工艺路线的氧化镓外延装置是由程文进;龚欣;石磊;卓林琳设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种结合束源炉且兼容多工艺路线的氧化镓外延装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种结合束源炉且兼容多工艺路线的氧化镓外延装置，包括束源炉、外延生长区、传送系统、尾排系统和冷却系统；束源炉用于加热Ga金属，并提供含Ga气体，外延生长区用于实现基片表面镀上氧化镓薄膜；外延生长区的进气端通过带有气流关断阀的管道与束源炉连接，且进气端设有多根气体输送管，外延生长区的排气端分别连接传送系统和尾排系统，传送系统用于传输基片进出外延生长区，尾排系统用于排出外延生长区内的废气；冷却系统分别连接束源炉、外延生长区和尾排系统。本实用新型具有结构紧凑、操作便捷、安全性高且可靠性高等特点，可兼容多种工艺路线制备氧化镓外延层，实现不同生长速率、不同外延厚度的氧化镓外延层制备。
本实用新型一种结合束源炉且兼容多工艺路线的氧化镓外延装置在权利要求书中公布了：1.一种结合束源炉且兼容多工艺路线的氧化镓外延装置，其特征在于，包括：束源炉100、外延生长区200、传送系统300、尾排系统400和冷却系统600；所述束源炉100用于加热Ga金属，并提供含Ga气体，所述外延生长区200用于实现基片1表面镀上氧化镓薄膜；所述外延生长区200的进气端通过带有气流关断阀106的管道与束源炉100连接，且外延生长区200的进气端设有多根气体输送管，所述外延生长区200的排气端分别连接传送系统300和尾排系统400，所述传送系统300用于传输基片1进出外延生长区200，所述尾排系统400用于排出外延生长区200内的废气；所述冷却系统600分别连接束源炉100、外延生长区200和尾排系统400，以实现束源炉100、外延生长区200和尾排系统400冷却。
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