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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511508814.0，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片是由王新强;陈兆营;袁泽兴;王岩;马超凡;余星城设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微型发光二极管阵列芯片制备方法及芯片，涉及微型发光二极管显示技术领域，包括：在微型发光二极管外延片的上表面制备两种掩膜阵列，并根据其覆盖范围将微型发光二极管外延片划分为隔离区、保护区和像素区；实施离子注入，使得隔离区、保护区和像素区的离子注入杂质浓度依次降低；去除两种掩膜阵列；去除非发光区域的P型导电层和发光层，并在发光区域的P型导电层和非发光区域的N型导电层上分别制备P型电极层和N型电极层；进行切割得到微型发光二极管阵列芯片。本发明通过介质层和金属复合掩膜结构实现了微型发光二极管外延片的分区离子注入，解决了传统离子注入工艺不能同时调控离子注入杂质的深度分布与横向扩展的问题。

本发明授权一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管阵列芯片制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次生长缓冲层、N型导电层、发光层和P型导电层，得到微型发光二极管外延片； 在所述微型发光二极管外延片的上表面上制备周期性分布的介质层阵列，得到第一掩膜阵列； 在所述第一掩膜阵列上制备周期性分布的金属层阵列，得到第二掩膜阵列；所述第二掩膜阵列和所述第一掩膜阵列具有相同的排布方式，且所述第二掩膜阵列的各单元位于所述第一掩膜阵列的对应单元之内； 根据所述第一掩膜阵列和所述第二掩膜阵列将所述微型发光二极管外延片划分为隔离区、保护区和像素区；所述隔离区为未被所述第一掩膜阵列和所述第二掩膜阵列覆盖的区域，所述保护区为仅被所述第一掩膜阵列覆盖的区域，所述像素区为被所述第一掩膜阵列和所述第二掩膜阵列共同覆盖的区域； 以所述第一掩膜阵列和所述第二掩膜阵列为掩膜，对所述微型发光二极管外延片进行离子注入，使得所述隔离区、所述保护区和所述像素区的离子注入杂质浓度依次降低，离子注入后所述隔离区、所述保护区和所述像素区的P型导电层电阻率依次降低； 去除所述第一掩膜阵列和所述第二掩膜阵列，得到微型发光二极管阵列；将所述微型发光二极管阵列划分为非发光区域和若干个发光区域，每个所述发光区域包括至少一个所述像素区； 去除所述非发光区域的所述P型导电层和所述发光层，露出N型导电层；在所述发光区域的所述P型导电层和所述非发光区域的所述N型导电层上分别制备P型电极层和N型电极层； 将所述微型发光二极管阵列进行切割，得到微型发光二极管阵列芯片，每个所述微型发光二极管阵列芯片包括一个所述发光区域。

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