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湘潭大学郝国林获国家专利权

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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种纳米结构的锡基硫化物材料的制备方法及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120987575B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511537603.X,技术领域涉及:C03C17/22;该发明授权一种纳米结构的锡基硫化物材料的制备方法及其应用是由郝国林;舒婷;郝玉龙;王华峰;贺力员;彭奥林;周洁设计研发完成,并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种纳米结构的锡基硫化物材料的制备方法及其应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种纳米结构的锡基硫化物材料的制备方法及其应用,属于纳米材料制备技术领域。该方法基于常压化学气相沉积系统,以FTO导电玻璃同时作为锡源和生长基底,以固态硫粉作为硫源,通过协同调控硫粉用量与生长温度,实现SnS2、Sn2S3及SnS等不同物相纳米结构的可控生长。本发明利用FTO原位供给锡源,有效解决了传统方法中锡源输运不均、使用有毒前驱体等问题,具有工艺简单、安全环保、成本低廉、产物纯度高且物相可控性强等优点,为锡基硫化物在光电子、能源催化等领域的应用提供了材料基础。

本发明授权一种纳米结构的锡基硫化物材料的制备方法及其应用在权利要求书中公布了:1.一种纳米结构的锡基硫化物材料的制备方法,所述锡基硫化物包括SnS2、Sn2S3、SnS中的一种,所述制备方法基于化学气相沉积系统,以FTO导电玻璃作为锡源和生长基底,以固态硫粉作为硫源,包括如下步骤: S1.将FTO导电玻璃置于化学气相沉积系统的恒温加热区; S2.将装有硫粉的源舟置于恒温加热区的上游; S3.向化学气相沉积系统中通入保护气体与还原性气体的混合气; S4.将恒温加热区升温至500℃~600℃并进行保温反应,使FTO导电玻璃释放出的锡元素与气态的硫反应,在基底上原位生长得到纳米结构的锡基硫化物材料; 其中,通过调控硫粉的用量和恒温加热中心区域的生长温度,实现对锡基硫化物物相的选择性控制,从而得到目标锡基硫化物SnS2、Sn2S3、SnS中的一种; 实现选择性控制的具体方式为: 当硫粉用量为100~250mg,生长温度为500~550℃时,目标锡基硫化物为SnS2; 当硫粉用量为25~75mg,生长温度为500~550℃时,目标锡基硫化物为Sn2S3; 当硫粉用量为80~120mg,生长温度为580~600℃时,目标锡基硫化物为SnS。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湘潭大学,其通讯地址为:411105 湖南省湘潭市西郊;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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