南通佳腾精密模具有限公司顾井纲获国家专利权
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龙图腾网获悉南通佳腾精密模具有限公司申请的专利一种半导体器件的离子注入优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120977851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511504582.1，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权一种半导体器件的离子注入优化方法是由顾井纲设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的离子注入优化方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的离子注入优化方法，涉及离子注入技术领域，该方法包括：基于离子束注入、等离子体注入组件等，接收并配置离子注入控制属性。结合设备型号、晶圆型号等因素，为控制属性设定容错阈值。通过分析晶圆注入日志，得到控制属性的偏差模值，再利用预测网络生成偏差预测集。依据容错阈值，标定异常控制属性，并将结果发送至用户端以优化设备。通过本申请可以解决现有技术由于缺乏对过程参数的动态调整和优化，导致离子注入的均匀性和深度控制不够精准，进一步影响半导体器件的性能和制造良率。实现对离子注入过程参数的实时、动态和精确控制，从而提高晶圆制造的效率和产品质量。
本发明授权一种半导体器件的离子注入优化方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的离子注入优化方法，其特征在于，应用于晶圆离子注入设备，所述晶圆离子注入设备包括离子束注入组件、等离子体注入组件、机器臂和节流阀，包括： 基于所述离子束注入组件、所述等离子体注入组件、所述机器臂和所述节流阀，接收离子注入控制属性集合； 基于离子束类型、晶圆型号和晶圆离子注入设备型号，对所述离子注入控制属性集合进行频率配值，生成离子注入控制属性容错阈值； 根据晶圆离子注入设备位号，采集晶圆离子注入日志； 对所述晶圆离子注入日志进行偏差分析，生成控制属性偏差模值序列集，其中，控制属性偏差模值表征控制参数与基准参数的偏差模值的众数； 通过偏差模值预测网络，遍历所述控制属性偏差模值序列集进行拟合，生成偏差模值预测集合； 基于所述离子注入控制属性容错阈值，对所述偏差模值预测集合进行异常属性标识，生成异常控制属性标定结果； 将所述异常控制属性标定结果发送至用户端进行设备优化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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