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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种用于非线性饱和吸收体的晶圆级二碲化钯-二硒化钯垂直异质结薄膜的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120905623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511434258.7，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种用于非线性饱和吸收体的晶圆级二碲化钯-二硒化钯垂直异质结薄膜的制备方法及其应用是由郝国林;周美琪;郝玉龙;张世伟;周洁;彭奥林;陈禹全设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于非线性饱和吸收体的晶圆级二碲化钯-二硒化钯垂直异质结薄膜的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于非线性饱和吸收体的晶圆级二碲化钯‑二硒化钯垂直异质结薄膜的制备方法及其应用。该材料的结构由上至下依次为二碲化钯薄膜与二硒化钯薄膜，该晶圆级二维二碲化钯‑二硒化钯薄膜垂直异质结采用电子束蒸发镀膜辅助的化学气相沉积技术制备。实验结果显示所得异质结薄膜在550nm可见波段，其非线性吸收性能优于单一二碲化钯薄膜；在1550nm近红外波段，调制深度可达31.92%，展现出从可见到近红外波段的宽光谱响应特性。本发明所得材料兼具晶圆级生长可控、非线性性能优异、工作波长范围宽等优势，为高性能锁模激光器、全光开关等超快光子器件的设计提供了重要材料策略与理论支撑，具有重要应用价值。

本发明授权一种用于非线性饱和吸收体的晶圆级二碲化钯-二硒化钯垂直异质结薄膜的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于非线性饱和吸收体的晶圆级二碲化钯-二硒化钯垂直异质结薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.取空白衬底钠钙玻璃进行预处理，去除表面杂质与污染物； S2.采用电子束蒸发镀膜仪，在步骤S1所得预处理后的衬底上沉积金属钯薄膜，蒸发速率控制在1.0~1.5Ås，沉积时间为25~30min，得到具有金属钯预沉积层的衬底； S3.将步骤S2所得具有金属钯预沉积层的衬底置于管式炉加热中心区域，并将装有硒粉末的石英舟放置在距离加热中心上游2~6cm处；在加热反应之前，先向管式炉内通入纯氩气10~50分钟以对管内进行排空，随后开启真空泵将系统压力抽至-10Pa~-8MPa的低压环境，以150~300sccm流量的氩气作为载气，将炉温升至260~330℃，保温60~80min进行硒化反应，反应结束后自然冷却至室温，得到二硒化钯薄膜； S4.将步骤S3所得二硒化钯薄膜作为基底，通过电子束蒸镀法再次预沉积金属钯薄膜，参数与步骤S2相同； S5.将步骤S4所得二次沉积金属钯的薄膜置于双温区管式炉的第二温区加热中心，并将装有碲粉末的石英舟放置在双温区管式炉的第一温区加热中心；生长前，采用氩氢混合气体对反应腔进行1~5分钟清洗，随后在大气压环境下，以10~30sccm流量的氩气作为载气，将第一温区温度升至450~650℃，第二温区温度升至250~450℃，保温8~180min进行碲化反应，反应结束后自然冷却至室温，制得晶圆级二碲化钯-二硒化钯垂直异质结薄膜。

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