浙江广芯微电子有限公司谢刚获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120870802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511349114.1,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台是由谢刚;湛亚鑫设计研发完成,并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台在说明书摘要公布了:本发明公开了一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台,涉及半导体器件老化测试相关领域,包括:获取COOLMOS的规格信息并部署物理测试场景;连接自动化测试平台并引入逻辑测试插件,基于物理测试场景初始化逻辑测试插件,自动化测试平台对COOLMOS服役周期进行分阶段,确定阶段测试序列;触发逻辑测试插件,以测试电路拓扑‑阶段电路切换‑电路稳恒加速为目标,逐阶段进行基于知识推理下的测试决策,生成老化测试序列;引入边缘节点并连接物理测试端,执行基于自动化测试平台与物理测试端协同的并行测试管理。解决现有COOLMOS老化测试存在的测试效率和准确性不足的技术问题,达到提高测试效率和准确性的技术效果。
本发明授权一种COOLMOS老化测试方案生成方法及平台在权利要求书中公布了:1.一种COOLMOS老化测试方案生成方法,其特征在于,所述方法包括: 获取COOLMOS的规格信息并部署物理测试场景; 连接自动化测试平台并引入逻辑测试插件,基于所述物理测试场景初始化所述逻辑测试插件,自动化测试平台对COOLMOS服役周期进行分阶段,确定阶段测试序列; 针对所述阶段测试序列,触发所述逻辑测试插件,以测试电路拓扑-阶段电路切换-电路稳恒加速为目标,逐阶段进行基于知识推理下的测试决策,生成老化测试序列; 引入边缘节点并连接物理测试端,执行基于所述自动化测试平台与物理测试端协同的并行测试管理; 以测试电路拓扑-阶段电路切换-电路稳恒加速为目标,逐阶段进行基于知识推理下的测试决策,包括: 确定第一阶段测试节点,其中,所述第一阶段测试节点为所述阶段测试序列中任一序列节点; 触发所述逻辑测试插件,以所述物理测试场为基础条件,进行电路结构与电路驱动参数决策,确定第一测试电路拓扑,其中,所述第一测试电路拓扑为COOLMOS的接入电路; 以第一测试电路拓扑,生成第一老化测试方案。
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