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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510937837.7，技术领域涉及：H10F10/17；该发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由张强设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏技术领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括：硅衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一本征非晶硅层，位于所述硅衬底的第一表面的至少部分区域；第一掺杂微晶硅层，位于所述第一本征非晶硅层背离所述硅衬底的一侧；第一掺杂非晶硅层，位于所述第一掺杂微晶硅层背离所述第一本征非晶硅层的一侧，所述第一掺杂非晶硅层与所述第一掺杂微晶硅层的掺杂类型相同；第一透明导电层，位于所述第一掺杂非晶硅层背离所述第一掺杂微晶硅层的一侧。本申请能够改善电池接触性能，降低电池串联电阻，从而提高电池转换效率。

本发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面； 第一本征非晶硅层，位于所述硅衬底的第一表面的至少部分区域； 第一掺杂微晶硅层，位于所述第一本征非晶硅层背离所述硅衬底的一侧； 第一掺杂非晶硅层，位于所述第一掺杂微晶硅层背离所述第一本征非晶硅层的一侧，所述第一掺杂非晶硅层与所述第一掺杂微晶硅层的掺杂类型相同； 第一透明导电层，位于所述第一掺杂非晶硅层背离所述第一掺杂微晶硅层的一侧， 所述第一表面为受光面，所述第一透明导电层的折射率小于所述第一掺杂非晶硅层的折射率，所述第一掺杂微晶硅层的折射率大于所述第一掺杂非晶硅层的折射率， 所述第一掺杂非晶硅层包括依次层叠设置在所述第一掺杂微晶硅层与所述第一透明导电层之间的多个掺杂非晶硅子层；在朝向所述第一透明导电层的方向上，多个所述掺杂非晶硅子层的折射率依次减小， 所述第一掺杂非晶硅层包括含目标元素的掺杂非晶硅层，所述目标元素包括氧元素和碳元素中的至少一种；在朝向所述第一透明导电层的方向上，所述含目标元素的掺杂非晶硅层中的目标元素的浓度逐渐增大。

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