南亚科技股份有限公司赖振益获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110702607.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权形成半导体结构的方法是由赖振益设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括具有隔离区域和主动区域的基材，以及字元线结构。字元线结构包括第一部分和第二部分。第一部分形成于基材的隔离区域内，其中隔离区域包围第一部分。第二部分形成于基材的主动区域内，其中第二部分的宽度大于第一部分的宽度。每一字元线结构中的各个部分依据其所在的位置而具有不同的宽度。位于隔离区域的部分字元线结构具有较小宽度，从而增加字元线结构与相邻元件的距离，使得隔离区域能提供较好的电性阻隔而减少半导体结构产生漏电的现象。同时，位于主动区域的部分字元线结构保有较大宽度，以提供足够的通道面积而保持半导体结构的效能。
本发明授权形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括： 接收基材； 形成隔离区域和主动区域在该基材内； 形成沟槽在该基材内，该沟槽为线性形状并延伸通过该基材的该隔离区域和该基材的该主动区域，该沟槽包括第一部分沟槽和第二部分沟槽，其中该第一部分沟槽位于该隔离区域而该第二部分沟槽位于该主动区域； 在形成该沟槽之后，借由干式蚀刻工艺增加该第二部分沟槽的宽度，其中干式蚀刻工艺包括使用气体与等离子体，该气体与该等离子体彼此作用而产生自由基状态的蚀刻剂，以及将该离子体与该自由基状态的蚀刻剂分离使得该自由基状态的蚀刻剂扩散至该第二部分沟槽内； 形成介电层在该沟槽的内表面上； 形成导电层在该沟槽内，其中该介电层包覆该导电层；以及 形成覆盖层在该沟槽内并堆叠在该导电层上。
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