意法半导体(鲁塞)公司R·盖伊获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210553761.4，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法是由R·盖伊;A·马扎基设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法在说明书摘要公布了：公开了包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法。双极晶体管，包括公共集电极区，所述公共集电极区包括掩埋半导体层和环形阱。阱区被环形阱围绕，并被掩埋半导体层所界定。第一基极区和第二基极区由阱区形成，并通过垂直栅结构彼此隔开。在第一基极区中注入第一发射极区，在第二基极区中注入第二发射极区。导体轨道电耦接第一发射极区和第二基极区，以将双极晶体管配置为达林顿型器件。双极晶体管的结构可以与非易失性存储器单元共集成地制造。
本发明授权包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括设置在第一类型的掺杂半导体衬底中和或设置在所述第一类型的掺杂半导体衬底上的达林顿型双极晶体管，所述达林顿型双极晶体管包括： 公共集电极区，用于所述达林顿型双极晶体管的第一晶体管和第二晶体管，所述公共集电极区包括在所述掺杂半导体衬底中与第一类型相反的第二类型的掩埋半导体层，以及连接所述掩埋半导体层的所述第二类型的掺杂环形阱； 所述第一类型的掺杂半导体阱，由所述环形阱围绕并且由所述掩埋半导体层界定； 垂直结构，垂直延伸穿过所述掺杂半导体阱，以将所述掺杂半导体阱划分为包含用于所述第一晶体管的第一基极区，所述第一基极区与用于所述第二晶体管的第二基极区电绝缘； 用于所述第一晶体管的所述第二类型的掺杂第一发射极区，位于所述第一基极区中； 用于所述第二晶体管的所述第二类型的掺杂第二发射极区，位于所述第二基极区中；以及 导体轨道，用于将用于所述第一晶体管的所述第一发射极区与用于所述第二晶体管的所述第二基极区电耦接。
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