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龙图腾网获悉深圳市思坦科技有限公司申请的专利显示基板的制作方法、显示基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111578344.7，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权显示基板的制作方法、显示基板及显示装置是由李辉;张珂设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板的制作方法、显示基板及显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。所述显示基板的制作方法包括：在衬底上设置多个发光单元，露出部分第一半导体层，所述发光单元形成台面；在所述发光单元的台面之间的凹槽设置第一阻光结构；在所述发光单元及所述第一半导体层上设置电极层，获得Micro‑LED阵列；将所述Micro‑LED阵列与电路基板键合，并将所述衬底剥离。应用本公开的技术方案，通过在发光单元之间设置阻光结构，可以有效避免发光单元之间的串光现象，改善显示基板的显示效果。

本发明授权显示基板的制作方法、显示基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板的制作方法，其中，所述方法包括： 在衬底上设置多个发光单元，露出部分未刻蚀的第一半导体层，所述发光单元形成台面，其中，被刻蚀去除的第一半导体层的厚度与露出部分未刻蚀的第一半导体层的厚度的比例为1:1-6:1，所述第一半导体层为N型半导体层； 在所述发光单元的台面之间的凹槽设置第一阻光结构，其中，所述凹槽为经刻蚀得到的多个发光单元中相邻发光单元之间形成的凹槽，凹槽底部为剩余未刻蚀的第一半导体层； 在所述发光单元的第二半导体层上沉积电流扩散层，并在沉积所述电流扩散层之后，对所述电流扩散层进行退火处理，所述第二半导体层为P型半导体层，退火处理后的所述第一半导体层的电阻小于退火处理前的所述第一半导体层的电阻； 在所述发光单元及所述第一半导体层上设置电极层，获得Micro-LED阵列，包括：在所述发光单元上设置P型电极；在发光单元外裸露的第一半导体层上设置N型电极，所述发光单元包括位于第一开口内的发光单元和未位于第一开口内的发光单元，所述第一开口为多个所述第一阻光结构之间形成的开口； 将所述Micro-LED阵列与电路基板键合，包括：在所述Micro-LED阵列的电极层上设置键合层，通过所述键合层将所述Micro-LED阵列与所述电路基板键合，并将所述衬底剥离； 在所述Micro-LED阵列的第一半导体层的远离所述电路基板的一侧设置第二阻光结构；所述第二阻光结构之间形成容纳区，且所述第二阻光结构为黑胶； 在所述第二阻光结构的侧壁上设置反光层，再在所述容纳区内设置光转换材料，所述光转换材料包括量子点。

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