联华电子股份有限公司张翊凡获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利磁阻式随机存取存储器的布局图案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010816527.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁阻式随机存取存储器的布局图案是由张翊凡;陈宏岳;黄瑞民;吴家荣;王裕平设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻式随机存取存储器的布局图案在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一扩散区以及第二扩散区沿着第一方向延伸于基底上，第一接触插塞沿着第二方向由第一扩散区延伸至第二扩散区于基底上，第一栅极图案以及第二栅极图案沿着第二方向延伸于第一接触插塞一侧以及第三栅极图案以及第四栅极图案沿着第二方向延伸于第一接触插塞另一侧。
本发明授权磁阻式随机存取存储器的布局图案在权利要求书中公布了：1.一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其特征在于，包含： 第一扩散区以及第二扩散区，沿着第一方向延伸于基底上； 第一接触插塞，沿着垂直于该第一方向的第二方向由该第一扩散区延伸至该第二扩散区于该基底上； 第一栅极图案以及第二栅极图案，沿着该第二方向延伸于该第一接触插塞一侧； 第三栅极图案以及第四栅极图案，沿着该第二方向延伸于该第一接触插塞另一侧； 第二接触插塞，仅设置于该第一扩散区上，并位于该第一栅极图案与该第二栅极图案之间，其中该第一接触插塞依据上视角度包括长方形，该第二接触插塞依据上视角度包含正方形；以及 第一金属图案，沿着该第一方向延伸于该第一扩散区以及该第二扩散区之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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