日月光半导体制造股份有限公司何政霖获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110955554.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由何政霖;李志成设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法，该半导体封装结构包括：基板；重布线层，位于基板上方；底部填充物，位于基板与重布线层之间，其中，底部填充物延伸至邻述重布线层的至少一侧，邻近重布线层的至少一侧的底部填充物与重布线层之间以一间隙横向地间隔开。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板； 重布线层，位于所述基板上方； 底部填充物，位于所述基板与所述重布线层之间； 管芯，位于所述重布线层上方； 第二底部填充物，位于所述管芯与所述重布线层之间， 其中，所述底部填充物延伸至所述重布线层的至少一个侧壁，所述底部填充物与所述重布线层的所述至少一个侧壁之间以一间隙横向地间隔开，所述间隙的底部包括圆形形状的烧炙痕迹，并且所述间隙从所述底部填充物的顶部向所述底部填充物的底部延伸， 其中，所述间隙延伸至所述重布线层的所述至少一侧的侧壁，所述底部填充物的面向所述间隙的表面包括具有烧炙痕迹的切面， 其中，所述第二底部填充物延伸至所述间隙内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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